YHJ2M77120 高精度立式雙面磨床
關(guān)鍵詞：宇環(huán)數(shù)控、軍工及航空航天、半導(dǎo)體
所屬分類 雙端面磨床系列
加工方式
設(shè)備亮點(diǎn)
1、本下盤軸向采用靜壓轉(zhuǎn)臺軸承結(jié)構(gòu)，具有高精度、高剛性特點(diǎn)，對于大壓力加載磨削加工，具有良好的精度保持性。
2、下盤內(nèi)外齒圈采用伺服電機(jī)獨(dú)立驅(qū)動(dòng)，工藝調(diào)節(jié)范圍廣，可根據(jù)不同材質(zhì)產(chǎn)品靈活調(diào)整工藝參數(shù)。
3、上盤采用浮動(dòng)油缸機(jī)構(gòu)調(diào)節(jié)平衡，四組浮動(dòng)油缸對稱均勻布置，在保持加工精度的前提上提升加工效率。
4、上、下盤均有獨(dú)立冷卻水道冷卻磨削盤，在上、下盤配置多點(diǎn)溫度傳感器（帶無線傳感），通過溫度實(shí)時(shí)監(jiān)測，控制調(diào)節(jié)制冷量，保證磨削盤溫度均勻且恒定。
5、配置在線檢測系統(tǒng)（選配），實(shí)現(xiàn)同時(shí)加工及檢測，加工合格率高。
技術(shù)參數(shù)
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項(xiàng)目 |
參數(shù) |
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單個(gè)晶圓襯底厚薄差TTV（μm） |
≤1.5 |
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晶圓襯底與襯底之間厚薄差（μm） |
≤3 |
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晶圓襯底最小厚度（μm） |
350 |
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晶圓襯底平面度（μm） |
≤1.5 |
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晶圓襯底化學(xué)拋光后粗糙度(納米） |
≤Ra8 |
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上下盤平面度（mm） |
≤0.005 |
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上盤最大加載壓力（t） |
2 |
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上盤最大行程（mm） |
500 |
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上拋光盤尺寸（mm） |
Φ1120*Φ385*50 |
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下盤跳動(dòng)（mm） |
≤0.01 |
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下拋光盤尺寸（mm） |
Φ1120*Φ385*50 |
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外齒圈抬升高度（mm） |
24~28 |
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項(xiàng)目 |
參數(shù) |
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下盤靜壓軸承最大承載(t) |
7 |
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上盤轉(zhuǎn)速（RPM） |
5~80 |
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下盤轉(zhuǎn)速（RPM） |
5~80 |
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上盤電機(jī)功率（KW） |
18.5 |
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下盤電機(jī)功率（KW） |
18.5 |
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太陽輪轉(zhuǎn)速（RPM） |
5~100 |
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太陽輪電機(jī)功率（KW） |
4.4 |
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外齒圈轉(zhuǎn)速（RPM） |
1~10 |
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外齒圈電機(jī)功率（KW） |
4.4 |
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游星輪數(shù)量（個(gè)） |
5 |
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晶圓加工規(guī)格(英寸) |
≤8”（打樣用）6”（常用） |
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設(shè)備重量（t） |
7.5 |
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