半導(dǎo)體
半導(dǎo)體介紹
半導(dǎo)體(semiconductor)指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體與絕緣體之間的材料。
半導(dǎo)體在集成電路、消費(fèi)電子、通信系統(tǒng)、光伏發(fā)電、照明、大功率電源轉(zhuǎn)換等領(lǐng)域都有應(yīng)用，如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。
無(wú)論從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來(lái)看，半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。大部分的電子產(chǎn)品，如計(jì)算機(jī)、移動(dòng)電話(huà)或是數(shù)字錄音機(jī)當(dāng)中的核心單元都和半導(dǎo)體有著極為密切的關(guān)聯(lián)。
常見(jiàn)的半導(dǎo)體材料有硅、鍺、砷化鎵等，硅是各種半導(dǎo)體材料應(yīng)用中最具有影響力的一種。
第一代半導(dǎo)體
主要是指硅(Si)、鍺(Ge)為代表的元素半導(dǎo)體材料，應(yīng)用極為普遍，包括集成電路、 電子信息網(wǎng)絡(luò)工程、電腦、手機(jī)等。其中，最典型的應(yīng)用是集成電路，主要應(yīng)用于低壓、低頻、低功率的晶體管和探測(cè)器中，取代了笨重的電子管，導(dǎo)致了集成電路的可能性。
第二代半導(dǎo)體
主要是以砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)為代表的化合物材料，主要應(yīng)用于毫米波器件、發(fā)光器件。衛(wèi)星通訊、移動(dòng)通訊、光通訊、GPS導(dǎo)航等。具有較好的電子遷移率、帶隙等材料特性，資源稀缺，有毒性，污染環(huán)境。
第三代半導(dǎo)體
指以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)、氧化鋅(ZnO)、金剛石、氮化鋁(AlN)為代表的寬帶半導(dǎo)體材料，具有更優(yōu)的電子遷移率、帶隙、擊穿電壓、高溫、高頻、抗輻射、大功率器件等特性。多在通信、新能源汽車(chē)、高鐵、衛(wèi)星通信、航空航天等場(chǎng)景中應(yīng)用，其中碳化硅、氮化鎵的研究和發(fā)展較為成熟。
半導(dǎo)體晶圓的生產(chǎn)工藝流程
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宇環(huán)可做工藝段
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硅、碳化硅、藍(lán)寶石晶圓—切割后研磨 |
硅、碳化硅、藍(lán)寶石晶圓—單面粗拋、細(xì)拋 |
宇環(huán)適用設(shè)備
主要制程 :
CMP(Chemical Mechanical Polishing，化學(xué)機(jī)械拋光)
粗拋: 一般用氧化鎂進(jìn)行粗拋，其目的是去除硅片表面殘留的機(jī)械損傷，一般要求從表面除去20~30μm
細(xì)拋: 用二氧化硅進(jìn)行細(xì)拋，其目的是去除第一次拋光在硅片表面留下的輕微損傷和云霧狀缺陷，要求從表面除去2～3μm的厚度。